金融界2024年10月21日消息，国家知识产权局信息显示，上海申矽凌微电子科技股份有限公司申请一项名为“衬底电压调节系统及方法”的专利，公开号 CN 118760302 A，申请日期为 2024 年 7 月。
专利摘要显示，本发明提供了一种衬底电压调节系统及方法，涉及衬底电位调节技术领域，包括：电流镜单元、衬底电压产生单元、谷值电压充电单元；利用电流镜单元镜像输入的偏置电流Ibias，为衬底电压产生单元提供一个从VPP到VNN的偏置电流，该电流流经衬底电压产生单元，使齐纳二极管串反偏，生成一个Vsub电位，谷值电压充电单元配合衬底电压产生单元，使衬底电位在瞬态时快速稳定。本发明能够极大地提高电路系统的可靠性。